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[发明专利]沟槽MOSFET接触件-CN202311076175.6在审
发明人： P·文卡特拉曼;D·E·普罗布斯特 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2019-08-28 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明题为“沟槽MOSFET接触件”。本发明公开了一种器件，该器件具有由第一类型的器件单元的阵列构成的有源区域以及由第二类型的器件单元的阵列构成的栅极接触区域或屏蔽接触区域，该第二类型的器件单元的阵列以比第一类型的器件单元的阵列更宽的节距布局有源区域中的每个第一类型的器件单元包括沟槽，该沟槽包含栅极电极和邻接的台面，该台面包括器件的漏极区、源极区、体区和沟道区。栅极或屏蔽接触区域中的每个第二类型的器件单元包括沟槽，该沟槽宽于且深于第一类型的器件单元中的沟槽。
沟槽 mosfet 接触

[发明专利]沟槽MOSFET接触件-CN201910798927.7有效
发明人： P·文卡特拉曼;D·E·普罗布斯特 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2019-08-28 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明题为“沟槽MOSFET接触件”。本发明公开了一种器件，该器件具有由第一类型的器件单元的阵列构成的有源区域以及由第二类型的器件单元的阵列构成的栅极接触区域或屏蔽接触区域，该第二类型的器件单元的阵列以比第一类型的器件单元的阵列更宽的节距布局有源区域中的每个器件单元包括沟槽，该沟槽包含栅极电极和邻接的台面，该台面包括器件的漏极区、源极区、体区和沟道区。第二类型的器件单元包括沟槽，该沟槽宽于第一器件单元中的沟槽，但是第二类型的器件单元的台面具有与第一类型的器件单元的台面大致相同的宽度。在具有大致相同的宽度的情况下，接触区域中的第二类型的器件单元中的台面具有与器件的有源区域中的第一类型的器件单元中的台面相似的击穿特性。
沟槽 mosfet 接触

[实用新型]沟槽MOSFET接触件-CN202120975930.4有效
发明人：郭力 -专利权人：无锡力神微电子有限公司
申请日： 2021-05-10 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本实用新型公开了沟槽MOSFET接触件，包括电路板和MOSFET芯片，所述MOSFET芯片设置于所述电路板正面中心，所述MOSFET芯片上表面设有源极和栅极，下表面设有漏极，所述电路板上方横向均匀设置有多组接线组件
沟槽 mosfet 接触

[发明专利]具有堆叠沟槽接触部和栅极带的晶体管装置-CN202111345596.5在审
发明人： A·C-H·韦;C·朴;G·布歇;H·J·柳;C·H·华莱士;M·K·哈兰 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2021-11-15 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本文公开的是具有沟槽接触部的晶体管装置，沟槽接触部具有彼此堆叠的两个部分：第一沟槽接触部和第二沟槽接触部。这样的晶体管装置可以通过如下方式制造：在晶体管的源极或漏极接触部之上形成第一沟槽接触部，使第一沟槽接触部凹陷，在第一沟槽接触部之上形成第二沟槽接触部，以及，最后，形成栅极接触部，该栅极接触部与第二沟槽接触部电隔离与形成沟槽和栅极接触部的常规方法相比，这样的制造工艺可以在增大的边缘放置误差容限、成本效率和器件性能方面提供改进。第一沟槽接触部的导电材料也可以沉积在晶体管的栅极电极之上，形成栅极带，以有利地减小栅极电阻。
具有堆叠沟槽接触栅极晶体管装置

[发明专利]半导体结构的制备方法-CN202211312848.9在审
发明人：陶余超 -专利权人：杭州富芯半导体有限公司
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本申请为一种半导体结构的制备方法，其包括：形成第一沟槽、第二沟槽及第三沟槽于衬底，第一沟槽、第二沟槽及第三沟槽的尺寸彼此不同，第一沟槽及第二沟槽为由氧化层所填充的屏蔽栅结构，第三沟槽为由氧化层所填充的控制栅结构；形成层间介质层于衬底上；部份刻蚀层间介质层及衬底，形成第一接触孔及第二接触孔，第一接触孔位于第一沟槽的一侧并贯穿层间介质层和部份衬底，第二接触孔贯穿第二沟槽上的层间介质层及部份第二沟槽以暴露第二沟槽的栅极导体，第二接触孔的深度大于第一接触孔的深度；部份刻蚀第三沟槽上的层间介质层，形成第三接触孔，第三接触孔贯穿部份第三沟槽以暴露第三沟槽的栅极导体，第三接触孔的深度大于第二接触孔的深度。
半导体结构制备方法

[发明专利]具有采用间隙壁的自对准体接触的沟槽MOSFET-CN202310376678.9在审
发明人：管灵鹏;K·特里尔;S·乔 -专利权人：维西埃-硅化物公司
申请日： 2016-10-17 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：具有采用间隙壁的自对准体接触的沟槽MOSFET。根据本发明的实施例，一种半导体器件包括半导体衬底，以及形成于所述半导体衬底中的至少两个栅极沟槽。所述沟槽中的每个包括栅电极。所述半导体器件还包括形成于所述半导体衬底中所述栅极沟槽之间的体接触沟槽。所述体接触沟槽在所述体接触沟槽的底部具有较低的宽度，以及在所述体接触沟槽之下具有欧姆体接触注入。所述欧姆体接触注入的水平范围至少是所述体接触沟槽的较低的宽度。
具有采用间隙对准接触沟槽 mosfet

[发明专利]具有采用间隙壁的自对准体接触的沟槽MOSFET-CN201680060990.5在审
发明人：管灵鹏;K·特里尔;S·乔 -专利权人：维西埃-硅化物公司
申请日： 2016-10-17 - 公布日： 2018-06-08 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：具有采用间隙壁的自对准体接触的沟槽MOSFET。根据本发明的实施例，一种半导体器件包括半导体衬底，以及形成于所述半导体衬底中的至少两个栅极沟槽。所述沟槽中的每个包括栅电极。所述半导体器件还包括形成于所述半导体衬底中所述栅极沟槽之间的体接触沟槽。所述体接触沟槽在所述体接触沟槽的底部具有较低的宽度，以及在所述体接触沟槽之下具有欧姆体接触注入。所述欧姆体接触注入的水平范围至少是所述体接触沟槽的较低的宽度。
体接触衬底半导体半导体器件沟槽MOSFET 栅极沟槽间隙壁自对准栅电极

[发明专利]一种半导体功率器件版图-CN201610231918.6有效
发明人：郑昌伟;戴小平 -专利权人：株洲中车时代电气股份有限公司
申请日： 2016-04-14 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体功率器件版图，包括：栅极沟槽的中部为折线结构，两端延伸进入栅极接触区，并与栅极总线连接，尾端在距离栅极接触区的预定位置处相互连接，形成封闭的虚栅区；虚栅沟槽位于封闭的虚栅区中间，与栅极沟槽平行，虚栅沟槽的两端或中间形成封闭接触窗口；基区接触区位于相邻两个栅极沟槽之间，并与栅极沟槽平行；虚栅接触孔位于虚栅沟槽上的封闭接触窗口内，宽度大于虚栅沟槽的宽度；源极接触孔覆盖于基区接触区之上，宽度大于所述基区接触区的宽度，长度小于基区接触区的长度。所述栅极沟槽、虚栅沟槽以及基区接触区都包含水平与非水平部分，不同方向的沟槽能够分散芯片上的应力，有利于芯片采用更薄的晶圆进行制备。
一种半导体功率器件版图

[发明专利]用于掩埋的导电层的硅化沟槽接触-CN200980144969.3有效
发明人： D·D·库尔鲍;J·B·约翰逊;P·J·林德格伦;刘学锋;J·S·纳科斯;B·A·奥尔纳;R·M·拉塞尔;D·C·谢里丹 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2009-10-27 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种沟槽接触硅化物(78)被形成在接触沟槽的内壁上，所述接触沟槽到达半导体衬底(8)中的掩埋的导电层(30)以降低透穿件结构的寄生电阻。所述沟槽接触硅化物(78)被形成在所述沟槽的底部处、侧壁上以及所述半导体衬底(8)的顶表面的一部分上。所述沟槽随后以中段制程(MOL)电介质加以填充。接触过孔(98)被形成在所述沟槽接触硅化物(78)上。所述沟槽接触硅化物(78)可经由与金属层的单一硅化反应或经由与多个金属层的多个硅化反应而形成。
用于掩埋导电沟槽接触

[发明专利]一种具有台阶状沟槽栅和改进的源体接触性能的沟槽MOSFET及其制造方法-CN200910178706.6有效
发明人：谢福渊 -专利权人：力士科技股份有限公司
申请日： 2009-09-25 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有台阶状沟槽栅和改进的源体接触性能的沟槽MOSFET与其制造方法，与现有技术中的沟槽MOSFET相比，根据本发明的沟槽MOSFET，由于源体接触沟槽与体接触区之间的接触面积增大，因而具有较小的接触电阻和更好的接触性能同时，台阶状沟槽栅的应用使得栅电容和导通电阻过大的问题得以解决。
一种具有台阶沟槽改进接触性能 mosfet 及其制造方法

[发明专利]沟槽型MOSFET终端-CN202211107410.7在审
发明人：杨科;苏毅;常虹 -专利权人：华羿微电子股份有限公司
申请日： 2022-09-13 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了沟槽型MOSFET终端，涉及半导体功率器件技术领域。包括：源极区金属层，栅极区金属层，截止区金属层，依次设置在第一导电外延层内的接地沟槽，悬空沟槽和截止区沟槽；所述源极区金属层通过第四接触孔与位于所述接地沟槽的第一多晶硅层接触；所述截止区金属层通过第五接触孔与位于所述截止区沟槽的栅氧化层接触；所述悬空沟槽位于所述截止区沟槽与所述接地沟槽之间；所述截止区金属层通过第六接触孔与位于所述截止区沟槽一侧的第一导电类型源区接触。
沟槽 mosfet 终端

[发明专利]一种具有浮空P岛的沟槽型二极管及其制备方法-CN201810961259.0在审
发明人：伍济 -专利权人：江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2018-08-22 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明涉及一种沟槽型二极管及其制备方法，其沟槽阳极结构包括沟槽、接触孔以及位阳极金属层，在N型外延层的上部通过沟槽、接触孔形成用于间隔沟槽与接触孔的侧墙；在N型外延层内设置P岛，所述P岛位于沟槽槽底的正下方且P岛与沟槽的槽底接触；所述阳极金属层填充在沟槽以及接触孔内，阳极金属层通过沟槽内的沟槽氧化层与沟槽的侧壁以及底壁绝缘隔离，阳极金属层通过接触孔孔壁内的接触孔氧化层与接触孔的侧壁以及底壁绝缘隔离，覆盖侧墙顶部的阳极金属层与所述阳极金属层正下方的N型外延层欧姆接触。
接触孔阳极金属层沟槽型二极管绝缘隔离侧壁侧墙底壁制备沟槽氧化层导通压降反向恢复工艺兼容间隔沟槽欧姆接触阳极结构氧化层浮空孔壁填充覆盖

[发明专利]具有在浅沟槽下的深插塞的集成设备-CN202011500998.3在审
发明人： A·帕勒亚里;S·D·马里亚尼;I·巴尔迪;D·布拉泽利;A·P·梅利尼 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本公开的各实施例涉及具有在浅沟槽下的深插塞的集成设备。集成设备包括深插塞。深插塞由深沟槽形成，深沟槽从浅沟槽隔离的浅表面在半导体主体中延伸。沟槽接触件通过浅沟槽，在浅沟槽的浅表面处与深沟槽的导电填料接触。系统包括至少一个具有深插塞的集成设备。而且，用于制造该集成设备的对应过程包括以下步骤：在形成浅沟槽隔离和沟槽窗口之前形成和填充深沟槽，沟槽接触件延伸通过该沟槽窗口以与导电填料接触。半导体主体具有一定厚度，并且深沟槽小于该厚度地延伸到半导体主体中。
具有沟槽深插塞集成设备

[发明专利]沟槽栅IGBT-CN201610003233.6有效
发明人：刘国友;朱利恒;黄建伟;罗海辉;谭灿健;杨鑫著;肖强;文高 -专利权人：株洲中车时代电气股份有限公司
申请日： 2016-01-05 - 公布日： 2017-07-11 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供一种沟槽栅IGBT，包括：半导体衬底和第一结构，所述第一结构包括位于所述半导体衬底表面内的第一沟槽栅结构及第二沟槽栅结构；其中，第二沟槽栅结构位于两个第一沟槽栅结构之间，第一沟槽栅结构为真栅，第二沟槽栅结构为假栅；发射极金属与第二沟槽栅结构相接触。由于现有技术中的发射极金属接触区设置在沟槽之间，而本发明中的发射极金属接触区不限于沟槽之间，即发射极金属接触区包含了与假栅接触部分，增大了发射极金属接触区，使用此种结构并没有使沟槽间距增大，相反，还可以将第一沟槽栅结构与第二沟槽栅结构之间的距离适当缩小，使真栅与假栅之间的间距不再受发射极最小接触面积的影响，显著降低沟槽栅IGBT的导通压降。
沟槽 igbt

[发明专利]具有屏蔽栅的沟槽栅MOSFET和肖特基二极管的集成结构-CN201410398107.6有效
发明人：陈正嵘;陈晨;陈菊英 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2014-08-13 - 公布日： 2017-08-08 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于屏蔽栅的沟槽栅MOSFET和肖特基二极管的集成结构，形成于硅衬底上且沟槽栅MOSFET和肖特基二极管的形成区域分开且相邻。沟槽栅MOSFET采用具有屏蔽栅的双栅结构，在肖特基二极管的形成区域形成有和沟槽栅相同的沟槽结构，通过正面金属层填充到沟槽的顶部来在沟槽侧面形成肖特基接触，正面金属层同时也和沟槽外的硅外延层形成肖特基接触，沟槽侧面和沟槽外的肖特基接触的结构能够大大增加肖特基接触的面积，能大大减少肖特基二极管的形成区域所占芯片的面积。同时本发明的肖特基二极管和采用沟槽接触孔的源极接触孔无关，故肖特基二极管的性能不受沟槽接触孔的影响，工艺相对简单且容易控制。
具有屏蔽沟槽 mosfet 肖特基二极管集成结构

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